Samsung semiconductor
Официальный сайт → samsung.comПолупроводниковое подразделение южнокорейского концерна Samsung Electronics. С 1993 года — крупнейший в мире производитель чипов памяти (DRAM, NAND Flash). Также выпускает процессоры Exynos и предоставляет услуги контрактного производства микросхем.
Найдено 9 485 компонентов
Партномер
Категория
Описание
CL10A106MO8NQNC10UF/1608
—
K7P803611B-HC33
Connectors
256kx36 & 512kx18 synchronous pipelined sram
KM416C1204CJ-6
RAM
DRAM Chip EDO 16M Bit 3.3V/5V 42 Pin SOJ
1821-3919
—
SAMSUNG SNP5300H 1.3MP 30X CMOS DAYNIGHT PTZ
—
22UF25VX5RSMD0805
—
SL-LA7012502US
—
CL42C100JKFNNN
—
CL05C330JB5NNNC33PF 1005 330J
—
CL10B224KB8NNNC220NF50VX7R
—
S1A0234B01-Y0B0
5 band dual graphic eq amp
K9LAG08U0MPCBO
—
S24D408GAN
—
SL-LA7012501KR
Wirewound Resistors
—
CL21B104KBCNNNC100NF/2012
—
RC3225F3401CS
—
K4AAG085WABCWE000
—
KM416S1120DT-G7
—
K6R1016C1D-TI10T00
—
WRC25444
—
RM12FT3839
—
RC2012F3012CS304RP3012F 2012F 30.1K
—
LAGERBESTAND EC350K
—
KLM8G1GEUFB04Q063
—
RC2012J272CS 2.7KOHM/2012/J
—
CR080518R0FTR
—
RC3216J912CS 9.1KOHM/3216/J
—
CL10B472KB8NNNC 4.7NF/1608/50V/K/X7R
—
24K OHM 1/16W J243
—
RC3216J513CS51KOHM/3216/J
—
KM616V4002BTI12
—
K4B8G1646BMIK0
—
S6TUT11X01-M040
—
K4H561638J-LCB3T
Memory Cards
—
K4S280832FTC75T
—
CAP CER 22UF 10V X5R 0603
—
TCPCS0J157MLAR0070
—
K7R641884M-EC250
—
KMRH60014A-B614
—
K4S641632H-UC75
64mb h die sdram specification 54 tsop ii with pb free (rohs compliant)
SPMWHT541MP7WAR0S0
—
SWL-2360C
—
K9F5608U0D-PIB0T00
—
RC1608J130CS
—
IRLR034ATM
—
K6T080C1D-TF70
—
KM416C256BLJ-5
—
K4S640832C-TC80
—
K6X0808C1D-GF70T00
—
CL05B103KB5NNNC10NF/1005/K
—