Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 500Ma |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds | 350V |
| Resistencia De Activación Rds(On) | 17Ohm |
| Tensión Vgs De Medición Rds(On) | 0V |
DN2535N5-GMicrochipMOSFETs
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 500Ma |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds | 350V |
| Resistencia De Activación Rds(On) | 17Ohm |
| Tensión Vgs De Medición Rds(On) | 0V |