PM50RLB060
Powerex
Discrete Semiconductors
Igbt Module, 600V, 50A
Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Corriente De Colector Dc | 50A |
| Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On) | 600V |
| Disipación De Potencia Pd | 101W |
| Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo | 600V |
| Núm. De Contactos | 37 |
PM50RLB060PowerexDiscrete Semiconductors