PM800HSA120
Powerex
Discrete Semiconductors
Igbt Module, 1.2Kv, 800A
Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Corriente De Colector Dc | 800A |
| Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On) | 1.2Kv |
| Disipación De Potencia Pd | 4.63Kw |
| Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo | 1.2Kv |
PM800HSA120PowerexDiscrete Semiconductors