Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 100A |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Resistencia De Activación Rds(On) | 0.00085Ohm |
| Tensión Vgs De Medición Rds(On) | 10V |
PDFPSMN1R0-30YLC,115NexperiaMOSFETs
PDF| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 100A |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Resistencia De Activación Rds(On) | 0.00085Ohm |
| Tensión Vgs De Medición Rds(On) | 10V |
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