Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N Dual |
| Corriente De Colector Dc | 683A |
| Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On) | 1.8V |
| Disipación De Potencia Pd | - |
| Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo | 1.2Kv |
SEMIX453GB12E4SSemikronIGBTs
| Transistor, Polaridad | Canal N Dual |
| Corriente De Colector Dc | 683A |
| Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On) | 1.8V |
| Disipación De Potencia Pd | - |
| Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo | 1.2Kv |