Характеристики
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 20A |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds | 600V |
| Resistencia De Activación Rds(On) | 290Mohm |
| Tensión Vgs De Medición Rds(On) | 10V |
| Tensión Umbral Vgs | 4V |
STP20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs