Leshan Radio Company
Крупнейший китайский производитель дискретных полупроводников: диодов, транзисторов и мостовых выпрямителей. Основана в 1970 году в Лэшане (провинция Сычуань). Долгие годы лидировала по объёму продаж дискретных полупроводников в Китае.
Найдено 2 828 компонентов
Партномер
Категория
Описание
SM250AF
Connectors
—
LBAT54CWT1
Dual series schottky barrier diodes
LESD11LL5.0CT5
—
MV2115
Silicon tuning diode
SLBC856ALT1G
—
SLBC80725WT1G
BJTs
—
SLBSS123LT1G
—
LBSS139LT1GMOS
—
LMUN2111LT1H
—
LMSB1218A-RT1G/2SC4081R
—
DTA143ECA-TP
BJTs
Digital transistors(built in resistors)
S-LMSZ5232BT1G
—
S-LBZX84C5V1LT1G-S
—
S-LBZT52C6V8T1G
—
LMSZ5245BT1G ()
—
MMUN2111LT1
Bias resistor transistors
LESD8D5.0T3G
—
MMUN2235LT1
Bias resistor transistor
S-LMBR2100FT1G
—
LN4501LT1H
—
S-SM260A
—
MMBD1010T1
Diodes
—
S-LN1482WT1G
—
MV2106
Silicon tuning diode
LMBR240FT1GSOD123FL
—
RBV402G
4.0a bridge rectifiers
LBZX84C15LT1H
—
2SC2412-R
General purpose transistors(npn silicon)
SLBSS139WT1G
—
MV2111
Silicon tuning diode
LBAV99LT1G75V
Diodes
—
LBZX84C10LT1H
Diodes
—
MMBZ5226BLT1
Semiconductor
LESD8L3.3T5G
Electronic Components
SOD 882
S-SM340A
Connectors
—
MC74VHC1GT86DTT3
2 input exclusive or gate/cmos logic level shifter
L1N4148WST1G
Diodes
0.15A,VR:100V,VF:1.25V,IR:1uA,IFSM:2A,
MMBZ5248BLT1
Semiconductor
LESD8LL5.0T5G ESD
—
LM3Z20VT1G/0805-20V
—
MTZJT-774.3A
Mtzj series zener diodes
LUMA120
—
LESD8H5.0CT5G
—
LTVS20H5.0T5G
—
SLMUN5335DW1T1G
—
L2SA812RL
—
SLMSZ5237BT1G
—
SODF106SH
Connectors
—
LMBR130FT1GHW
—
LR6302A50MR
—