Leshan Radio Company
Крупнейший китайский производитель дискретных полупроводников: диодов, транзисторов и мостовых выпрямителей. Основана в 1970 году в Лэшане (провинция Сычуань). Долгие годы лидировала по объёму продаж дискретных полупроводников в Китае.
Найдено 2 828 компонентов
Партномер
Категория
Описание
SLBAT54ALT1G
—
SODF106SH
Connectors
—
SLMSZ5237BT1G
—
LESD8D5.0CKT5G
—
LBZX84C15VLT1G
—
LMSZ5264BT1G
—
1N5243D
—
LMBT3946DW1T1GSOT363
—
MMBZ5260BLT1
Semiconductor
MC74VHC1GT86DFT4
2 input exclusive or gate/cmos logic level shifter
L2SC3356QBLT1G
—
MV2109G
Silicon tuning diode
LBSS123LTIG
—
MMBTA14LT1
Darlington amplifier transistors(npn silicon)
S-LBAW56LT1G
—
LR6302A50M
—
2SC2412KQLT1
—
HVM12
Diodes
High voltage diodes
LMSZ5231BT1G
Batteries and Accessories
—
MUN2230RT1
Bias resistor transistor
L4601DQW1T1G
—
LBC846ADW1T1G
—
BC858AWT1G
General purpose transistors(pnp silicon)
MTZJT-7727B
Mtzj series zener diodes
L1N4148FT1G##QQQQQQQQ
—
SSM160AF
—
LMBR0540LT1GHW
Schottky Diodes
—
LMSZ5265BT1G 62V
—
LMBR0520LT1G
—
SL2SC2412KQLT1G
—
HZS332TD
Diodes
—
L1N4148WT1G IC
—
S-LMUN2111LT1G
—
LBAS70-04
—
S-LR1LINT1G
TVS Diodes
—
S-LBZX84B15LT1G
—
LMSZ5232BT1G ()
—
LBSS138LT1G MOS()
—
LESD5Z5.0CT1G ESD
—
S-LMUN5111T1G
—
HZS183TD
Diodes
—
LBZX84C68LT1G
—
MUN5216DW1T1G
Dual bias resistor transistors
LBZX84C5V1LT1G ()
—
SSM260A
—
SODHE107-SH
—
SZAF20A
—
2SC2412-Q
General purpose transistors(npn silicon)
S-LMBR360FT1G
—
S15VB60
High current glass passivated single phase bridge rectifier