Leshan Radio Company
Крупнейший китайский производитель дискретных полупроводников: диодов, транзисторов и мостовых выпрямителей. Основана в 1970 году в Лэшане (провинция Сычуань). Долгие годы лидировала по объёму продаж дискретных полупроводников в Китае.
Найдено 2 828 компонентов
Партномер
Категория
Описание
LMUN5312DWT1G
—
LBZX84C3V3T1G
—
2SC4081R
BJTs
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 200mW 3 Pin SC 70 T/R
LBAS40-06
—
LBZX84C18T1G
—
LBZX84C13T1G
—
LBZX84C10T1G
—
LBZX84C16T1G
Electronic Components
IN stock Immediate delivery
LBZX84C30T1G
—
MMBD101
Diodes
Schottky barrier diodes
SLBAT54XV2T1G
—
LBAS316T1G
—
S-LMBR340FT1G
—
L2SK3541M3T5G
—
LTVS16H12T5G
—
S-LBZX84C5V6LT1G
—
BC857BWT1
BJTs
General purpose transistors(pnp silicon)
S-L1SS400T1G
—
LBSS84WLT1G
—
MTZJT-773.3B
Mtzj series zener diodes
LRB520S-30T1G-5J
30V 1A 10μA 200mA Freestanding SOD 523 SMD mount 600μm(height)
HFMC308
—
LMD96330PRA
—
LR6375A50PT
—
1N4733A-5.1V
—
LMBZ5232BLT1G
—
MUN5334DW1T1G
Dual bias resistor transistors
SSBR5100
—
LBZB84C6V2LT1G
—
BSS84LT1G-PD
—
LR6301-53NRM
—
LR78M15D
—
LR6301-59NRM
—
S-LMBR0530T1G
—
LR6301-37CRN
—
LR6301-27NRN
—
LR6301-13CRN
—
LR6301-18CRM
—
LTVS20H15T5G
—
MMBT2907ALT1XT
BJTs
General purpose transistor(pnp silicon)
LBZX84B24LT1G
—
LR6301-46NRM
—
LESD8LH5.0CT5G
—
LTVS20H12FT6G
—
S-L2N7002SDW1T1G
—
LR6301-16CRM
—
MMBZ5250BLT1G
Semiconductor
SM240BF
—
LBAT54CLT1G/BAT54CLT1
0
LBSS4350SZ4TZHG
—