Leshan Radio Company
Крупнейший китайский производитель дискретных полупроводников: диодов, транзисторов и мостовых выпрямителей. Основана в 1970 году в Лэшане (провинция Сычуань). Долгие годы лидировала по объёму продаж дискретных полупроводников в Китае.
Найдено 2 828 компонентов
Партномер
Категория
Описание
R3000F-T
High voltage fast recovery diodes
LR6375A33PT
—
MMBTA42TL1
BJTs
0.5V @IC = 20 mA,IB = 2mA 1NPN 400V 500mA SOT 23
LR6301-44CRN
—
BAS7004LT1GDG
Schottky Diodes
—
EFM104B
1a fast recovery sma diodes
LBAS21HLT1G
—
LR6301-20NRN
Electronic Components
—
LR6301-42CRN
—
MMBZ5229BLT1G
Semiconductor
S-SBR8100
Batteries and Accessories
—
LBC847BDW1T1G
Electronic Components
Purchase Online. Ship Immediately.
LBAS70-04LT1
Schottky Diodes
—
RBV602G
6.0a bridge rectifiers
L1N4148FT1G IC
75V 4A 8ns 75μA 150mA Single Diode SOD 123 FL SMD mount 3.9mm(Length)*1.1mm(width)
S-LBAS21HT1G
Diodes
—
LTVS16H16T5G
—
MUN5116T1
Bias resistor transistor
LR6301-41CRM
—
LTVS20H12ET5G
—
SLMSZ5238BT1G
—
1N5227A
Zener Voltage Regulator Diode, Package : DO 35
S-LBC846BLT1G
—
MC74VHC1G135DTT1
2 input nandschmitt trigger with open drain output
L2SC4081QT1G
BJTs
General Purpose Transistors NPN Silicon
BZX84C16LT1
Semiconductor(technical data)
L2SC4083PWNWT1G
Diodes
—
LBAT54STT1G
—
DTC144EKA-TP
Digital transistors(built in resistors)
LBZX84C5V6LT1G 5.6V
—
LUDZS4.3BT1G
—
LBSS4250Y3T1G
—
SLESD8LL24CT5G
—
ML6652CHEH
—
LR6301-41CRN
—
L2N7002SDW1T1GMOS
—
LBZX84B7V5LT1G
—
1N4007G-H
—
S-LBSS123LT1G
MOSFETs
—
LBC80725LT1GIC
—
MV2109
Silicon tuning diode
MMBT3906GLT1
—
BC858BWT1
General purpose transistors(pnp silicon)
LRC099-04DT1G
—
BC807-40LT1
BJTs
General purpose transistors(pnp silicon)
S-SM560AF
—
BC857AWT1
General purpose transistors(pnp silicon)
LGBLC03CT1G ESD
—
MMUN2213T1
—
LR6302B33M
—