Leshan Radio Company
Крупнейший китайский производитель дискретных полупроводников: диодов, транзисторов и мостовых выпрямителей. Основана в 1970 году в Лэшане (провинция Сычуань). Долгие годы лидировала по объёму продаж дискретных полупроводников в Китае.
Найдено 2 828 компонентов
Партномер
Категория
Описание
S-LTVS16H5.0T5G
—
MMUN2213RLT1
Bias resistor transistor
BSS63LT1
BJTs
General purpose transistors(pnp silicon)
LBC81740WT1G
BJTs
—
LBC847BPDW
—
MC74VHC1G14DFT1
Schmitt trigger inverter
LBC807-25LT1G IC
—
SM3100B-E
—
1.5KESMC130CA
—
P6SMA30CA
—
P2SMA13CA
—
SMAJ120A TVS
TVS Diodes
—
LN4501LT1G-HW
—
LBAT54XV2
—
LBAS21H
—
LR6375A50MR
—
LESD8LH5.0CT5G TVS
—
LUDZS4��7BT1G
—
LUDZS4。7BT1G
—
HVP16
High voltage diodes
S-LBAS70LT1G
—
SM330BF
—
1N5243C
Zener Voltage Regulator Diode, Package : DO 35
SLBC857BDW1T1G
—
BC846BLT1
General purpose transistors(npn silicon)
MSD1010T1
Low saturation voltage
LBZT52C15T1G
—
LBZT52C12T1G 12V
—
S-LMUN5313DW1T1G
Electronic Components
—
MC74VHC1G09DFT1G
2 input and gate with open drain output
1N4007(T52)
—
S-LBZT52C12T1G
—
MTZJ51
Mtzj series zener diodes
D50SB100
—
LBZX84C20LT1G 20V
—
LBP5013N3T5G
—
LBAV70LT1H
—
R4000F-B
High voltage fast recovery diodes
MMBD101WS
Diodes
Schottky barrier diodes
LESD5Z24T1G
—
S-SM240AF
Rectifier Diodes
—
LMSZ5237BT1G 8.2V
—
TP2122VR
—
BC847AWT1
General purpose transistors(npn silicon)
L2SC1623SLT1GL2SC1623RLT1G
—
SLESD8L33CT5G
—
L1SS400T5G
Diodes
—
DLRB521S40T1GSOD523
—
LRCSLBSS123LT1G
MOSFETs
—
LBSS138LT1G-J1
—